Выращивание эпитаксиальных слоев твердого раствора Si1-x-yGexSny из оловянного раствора-расплава
https://doi.org/10.25205/2541-9447-2023-18-1-53-60
Аннотация
Выращены монокристаллические пленки варизонного твердого раствора Si1-x-yGexSny на подложках Si <111>методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного оловянного раствора-расплава в температурном интервале 1100–500 °C. Определен химический состав выращенных эпитаксиальных пленок на сканирующем электронном микроскопе.
Об авторе
А. Ш. Раззоков
Ургенчский государственный университет
Узбекистан
Узбекистан
Раззоков Алижон Шоназарович, кандидат физико-математических наук, доцент
Ургенч
Список литературы
1. M. Oehme, D. Buca, K. Kostecki, S. Wirths, B. Holl¨ander, E. Kasper, J. Schulze. Epitaxial growth of highly compressively strained GeSn alloys up to 12.5 % Sn. J.Cryst.Growth, 384, 71 (2013). DOI:10.1016/j.jcrysgro.2013.09.018.
2. R. R. Lieten, J. W. Seo, S. Decoster, A. Vantomme, S. Peters, K. C. Bustillo, E. E. Haller, M. Menghini, J. P. Locquet. Tensile strained GeSn on Si by solid phase epitaxy. Appl.Phys. Lett., 102, 052106 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4790302.
3. Блошкин А. А., Якимов А. И., Тимофеев В. А., Туктамышев А. Р., Никифоров А. И., Мурашов В. В. Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова // Физика и технология полупроводников. Т.51, №3. (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44205.8343.
4. BuguoWang, T. R. Harris, M. R. Hogsed, Y. K. Yeo, Mee-YiRyu, J. Kouvetakis. Comparison study of temperature dependent direct/indirect bandgap emissions of Ge1-x-ySixSny and Ge1-ySny grown on Ge buffered Si. Thin Solid Films (2019), Volume 673, Pages 63–71. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2019.01.022.
5. S. Wirths, D. Buca, Z. Ikonic, P. Harrison, A. T. Tiedemann, B. Holländer, T. Stoica, G. Mussler, U. Breuer, J. M. Hartmann, D. Grützmacher, S. Mantl. SiGeSn growth studies using reduced pressure chemical vapor deposition towards optoelectronic applications. Thin Solid Films. (2014), V.557, Pages 183-187. DOI:10.1016/j.tsf.2013.10.078.
6. Gianluca Timò, Giovanni Abagnale, Nicola Armani, Marco Calicchio and Bernd Schineller. MOVPE SiGeSn development for the next generation four junction solar cells. AIP Conference Proceedings, 040011 (2018); Pages 1–7. https://doi.org/10.1063/1.5053519
7. I. A. Fischer, M. Oehme, J. Schulze. Molecular Beam Epitaxy Growth of SiGeSn Alloys. Molecular Beam Epitaxy(2018), Pages 55-71. https://doi.org/10.1016/B978-0-12-812136-8.00004-9
8. A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, A. I. Yakimov, V. I. Mashanov, A. K. Gutakovskii. Self-assembled strained GeSiSn nanoscale structures grown by MBE on Si(100) // Journal of Crystal Growth, 457, 215–219. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.02.024.
9. Раззоков А. Ш. Выращивание твердых растворов Ge1-xSnx из жидкой фазы. Доклады АН (Россия). Том 379, №5, 2001. С. 617–619.
10. J. P. Fleurial and A. Borshchevsky. Si‐Ge‐Metal Ternary Phase Diagram Calculations. Journal of The Electrochemical Society, Volume 137, Number9.DOI:https://doi.org/10.1149/1.2087101.
11. Саидов А. С., Саидов М. С., Кошчанов Э. А. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе: Монография. Ташкент: Фан. 1986. 128 с.
12. Андреев В. М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1975.
13. Боцелев С. П., Марончук И. Е., Марончук Ю. Е.и др. Кристаллизация эпитаксиальных слоев AlGaAs из ограниченного объема раствора-расплава // Неорганические материалы. 1977, 13, № 5. С. 769–772.
Рецензия
Для цитирования:
Раззоков А.Ш. Выращивание эпитаксиальных слоев твердого раствора Si1-x-yGexSny из оловянного раствора-расплава. Сибирский физический журнал. 2023;18(1):53-60. https://doi.org/10.25205/2541-9447-2023-18-1-53-60
For citation:
Razzokov A.Sh. Growth of Epitaxial Layers of the Si1-x-yGexSny Solid Solution from a Tin Solution-Melt. SIBERIAN JOURNAL OF PHYSICS. 2023;18(1):53-60. (In Russ.) https://doi.org/10.25205/2541-9447-2023-18-1-53-60
Просмотров:
127
Послать статью по эл. почте 