Preview

Сибирский физический журнал

Расширенный поиск

Аналитический и технологический исследовательский центр «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» ФФ НГУ: история, становление и достигнутые результаты

https://doi.org/10.25205/2541-9447-2022-17-3-66-88

Аннотация

В работе приведена информация об истории образования, становлении, основных направлениях деятельности и результатах работы Аналитического и технологического исследовательского центра физического факультета Новосибирского государственного университета (АТИЦ ФФ НГУ) за 15 лет существования. Основными направлениями физических исследований являются: современное материаловедение, наноматериалы, нанотехнологии и технологические процессы, экспериментальная диагностика структур и веществ, компьютерное моделирование низкоразмерных структур, улучшение характеристик элементов и устройств полупроводниковой электроники, поиск материалов для систем хранения и передачи цифровой информации, исследование и разработка технологии получения низкоразмерных полупроводниковых систем, катализаторов, метаматериалов и органических материалов для электроники, исследование материалов и систем терагерцовой электроники. Благодаря организации в структуре Центра коллективного пользования «Высокие технологии и аналитика наносистем» (ЦКП «ВТАН») АТИЦ успешно сотрудничает с научными, образовательными организациями и предприятиями реального сектора экономики России, Сибирского региона и сопредельных стран. Основной объем научных исследований выполняется сотрудниками молодежной Лаборатории функциональной диагностики низкоразмерный структур для наноэлектроники (ЛабФДНС), что способствует вовлечению обучающихся и молодых сотрудников НГУ в выполнение актуальных и востребованных научно-исследовательских работ, и это обеспечивает им высокий уровень подготовки по избранным направлениям.

Об авторах

П. В. Гейдт
Новосибирский государственный университет
Россия

Гейдт Павел Викторович, кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией

Новосибирск



А. В. Аржанников
Новосибирский государственный университет; Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН
Россия

Аржанников Андрей Васильевич, доктор физико-математических наук, профессор; главный научный сотрудник

Новосибирск



А. Л. Асеев
Новосибирский государственный университет; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия

Асеев Александр Леонидович, доктор физико-математических наук, академик РАН, заведующий отделом; главный научный сотрудник

Новосибирск



А. А. Шкляев
Новосибирский государственный университет; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия

Шкляев Александр Андреевич, доктор физико-математических наук; главный научный сотрудник

Новосибирск



В. А. Володин
Новосибирский государственный университет; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия

Володин Владимир Алексеевич, доктор физико-математических наук, доцент; ведущий научный сотрудник

Новосибирск



И. А. Азаров
Новосибирский государственный университет; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия

Азаров Иван Алексеевич, младший научный сотрудник

Новосибирск



В. И. Зайковский
Новосибирский государственный университет; Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН
Россия

Зайковский Владимир Иванович, кандидат химических наук; старший научный сотрудник

Новосибирск



Д. Е. Уткин
Новосибирский государственный университет; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия

Уткин Дмитрий Евгеньевич, младший научный сотрудник

Новосибирск



Ю. В. Ларичев
Новосибирский государственный университет; Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН
Россия

Ларичев Юрий Васильевич, кандидат химических наук, научный сотрудник

Новосибирск



С. Ю. Чепкасов
Новосибирский государственный университет
Россия

Чепкасов Сергей Юрьевич, младший научный сотрудник

Новосибирск



С. А. Кузнецов
Новосибирский государственный университет; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия

Кузнецов Сергей Александрович, старший научный сотрудник

Новосибирск



Список литературы

1. Алфёров Ж. И., Казаринов Р. Ф. Полупроводниковый лазер с электрической накачкой // Авторское свидетельство на изобретение. № 181737. 30 марта 1963.

2. Алфёров Ж. И. Физика и жизнь. М.: СПб.: Изд-во Наука, 2001. 287 с.

3. Alferov Zh. I. The history and future of semiconductor heterostructures // Semiconductors. 1998. Vol. 32, no. 1. Pp. 1–14.

4. Сайт отдела АТИЦ [Электронный ресурс]: https://research.nsu.ru/ru/organisations/аналити­ческий-и-технологический-исследовательский-центр-высокие-т/persons/ (дата обраще­ния: 20.05.2022 г.).

5. Zhachuk R. A., Shklyaev A. A. Universal building block for (1 1 0)-family silicon and germanium surfaces // Applied Surface Science. 2019. Vol. 494. Pp. 46–50.

6. Shklyaev A. A., Tsarev A. V. Broadband antireflection coatings made of resonant submicron-and micron-sized SiGe particles grown on Si substrates // IEEE Photonics Journal. 2021. Vol. 13. Pp. 1–12.

7. Dabard C., Shklyaev A. A., Armbrister V. A., Aseev A. L. Effect of deposition conditions on the thermal stability of Ge layers on SiO2 and their dewetting behavior // Thin Solid Films. 2020. Vol. 693, no. 7. P. 137681.

8. Shklyaev A. A., Utkin D. E., Tsarev A. V., Kuznetsov S. A., Anikin K. V., Latyshev A. V. Interdisk spacing effect on resonant properties of Ge disk lattices on Si substrates // Sci. Rep. 2022. Vol. 12. P. 8123.

9. Володин В. А., Тимофеев В. А., Туктамышев А. Р., Никифоров А. И. Расщепление ча­стот оптических фононов в растянутых слоях Ge // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 105, № 5. С. 305–310.

10. Володин В. А. Локализация фононов и фонон-плазмонное взаимодействие в полупрово­дниковых наноструктурах / Дис… д. ф.-м. н. 20.06.2017 г. ИФП СО РАН.

11. Mamontov G. V., Gorbunova A. S., Vyshegorodtseva E. V., Zaikovskii V. I., Vodyankina O. V. Selective oxidation of CO in the presence of propylene over Ag/MCM–41 catalyst // Catalysis Today. 2019. Vol. 333. Pp. 245–250.

12. Асеев А. Л., Гейдт П. В. Материалы для систем обработки больших данных. I Россий­ская Научная конференция «Радиофизика, фотоника и исследование свойств вещества» (РФИВ) 6–8 октября 2020, г. Омск, РФ.

13. Гутаковский А. К., Латышев А. В., Чувилин А. Л. Структура дефектов и границ раздела в полупроводниковых гетеросистемах. Новосибирск: Изд-во Параллель, 2016. 230 с.

14. Utkin D. E., Anikin K. V., Veber S. L., Shklyaev A. A., Dependence of light reflection of germanium Mie nanoresonators on their aspect ratio // Opt. Materials. 2020. Vol. 109. Pp. 110466.

15. Utkin D. E., Shklyaev A. A., Tsarev A. V., Latyshev A. V. Formation of 2D-PhCs with missing holes based on Si-layers by EBL // J. Phys.: Conf. Ser. 2017. Vol. 917. P. 062030.

16. Yakimov A. I., Kirienko V. V., Bloshkin A. A., Dvurechenskii A. V., Utkin D.E. Mid-infrared optical resonances in quantum dot photodetectors coupled with metallic gratings with different aperture diameters // Current Applied Physics. 2020. Vol. 20, no. 7. Pp. 877–882.

17. Тузиков Ф. В. Анализ биологических наноструктур в системах метаболизма белков и ли­пидов: Строение, дисперсный состав и механизмы равновесных взаимодействий макро­молекул / Дис… д. б. н. 20.06.2005 г. ГНЦ вирусологии и биотехнологии «Вектор» Минз­драва РФ.

18. Chernonosova V. S., Kvon R. I., Stepanova A. O., et al. Human serum albumin in electrospun PCL fibers: structure, release, and exposure on fiber surface // Polymers for Advanced Technologies. 2017. Vol. 28, no. 7. Pp. 819–827.

19. Ларичев Ю. В. Исследование упорядоченности пористой структуры мезопористого мате­риала SBA–15 методом малоугловой дифрактометрии // Журнал структурной химии. 2021. T. 62, № 1. С. 151–156.

20. Астанкова К. Н., Володин В. А., Азаров И. А. О структуре тонких плёнок монооксида германия // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54, № 12. С. 1296–1301.

21. Azarov I. A., Kuper K. E., Lemzyakov A. G., Porosev V. V., Shklyaev A. A. Scintillator surface modification by glancing angle deposition of thin ZrO2 films // JINST. 2022. Vol. 17. P. T05013.

22. Sadykov V., Usoltsev V., Yeremeev N., Mezentseva N., Pelipenko V., Krieger T., Belyaev V. et al. Functional nanoceramics for intermediate temperature solid oxide fuel cells and oxygen separation membranes // J. Eur. Ceram. Soc. 2013. Vol. 33, iss. 12. Pp. 2241–2250.

23. Sadykov V. A., Mezentseva N. V., Bobrova L. N. et al. Advanced Materials for Solid Oxide Fuel Cells and Membrane Catalytic Reactors / Advanced Nanomaterials for Catalysis and Energy (Ed.V. A. Sadykov ), Chpt 12, pp. 435–514. Elsevier Inc., 2019. https://doi.org/10.1016/B978-0-12-814807-5.00012-7

24. Demyanenko M. A., Esaev D. G., Ovsyuk V. N., Fomin B. I., Aseev A. L., Knyazev B. A., Kulipanov G. N., Vinokurov N. A. Matrix microbolometric receivers for infrared and terahertz ranges // Optical journal. 2009. Vol. 76, no. 12. Pp. 5–11.

25. Кузнецов С. А., Аржанников А. В., Тумм М. К. А. Особенности дифракции электро­магнитных волн на регулярно-периодических индуктивных металлических структурах // Вестник НГУ. Серия: Физика. 2013. Т. 8, вып. 4. С. 11–24.

26. Kuznetsov S. A., Astafyev M. A., Gelfand A. V., Arzhannikov A. V. Microstructured Frequency Selective Quasi-Optical Components for Submillimeter-Wave Applications / Proc. 44th European Microwave Conf. (EuMC 2014), Rome, Italy, October 6–9, 2014. Article no. 6986576, pp. 881– 884.

27. Kuznetsov S. A., Lenets V. A., Tumashov M. A., et al. Self-complementary metasurfaces for designing terahertz deflecting circular-polarization beam splitters // Appl. Phys. Lett. 2021. Vol. 118, no. 13. P. 131601.

28. Arzhannikov A. V., Ivanov I. A., Kasatov A. A., et al. Well-directed flux of megawatt sub-mm radiation generated by a relativistic electron beam in a magnetized plasma with strong density gradients // Plasma Phys. Control. Fusion. 2020. Vol. 62. P. 045002.

29. Kapishnikov A. V., Kenzhin R. M., Koskin A. P., Volodin A. M., Geydt P. V. Mayenite synthesis from hydroxide precursors: Structure formation and active sites on its surface // Materials. 2022. Vol. 15, no. 3. P. 778.

30. Rybak A. A., Yushkov I. D., Nikolaev N. A., Kapishnikov A. V., Volodin A. M., Krivyakin G. K., Kamaev G. N., Geydt P. V. Electrophysical properties of polycrystalline C12A7:e− electride // Electronics. 2022. Vol. 11, no. 4. P. 668.

31. Moreno-Peñarrubia A., Kuznetsov S. A., Beruete M. Ultrathin Subterahertz Half-Wave Plate With High Conversion Efficiency Based on Zigzag Metasurface // IEEE Trans. Antennas Propag. 2020. Vol. 68, no. 11. Pp. 1–5.

32. Nikolaev I. V., Geydt P. V., Korobeishchikov N. G., Kapishnikov A. V., Volodin V. A., Azarov I. A., Strunin V. I., Gerasimov E. Y. The Influence of Argon Cluster Ion Bombardment on the Characteristics of AlN Films on Glass-Ceramics and Si Substrates // Nanomaterials. 2022. Vol. 12, no. 4. P. 670.


Рецензия

Для цитирования:


Гейдт П.В., Аржанников А.В., Асеев А.Л., Шкляев А.А., Володин В.А., Азаров И.А., Зайковский В.И., Уткин Д.Е., Ларичев Ю.В., Чепкасов С.Ю., Кузнецов С.А. Аналитический и технологический исследовательский центр «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» ФФ НГУ: история, становление и достигнутые результаты. Сибирский физический журнал. 2022;17(3):66-88. https://doi.org/10.25205/2541-9447-2022-17-3-66-88

For citation:


Geydt P.V., Arzhannikov A.V., Aseev A.L., Shklyaev A.A., Volodin V.A., Azarov I.A., Zaikovskii V.I., Utkin D.E., Larichev Yu.V., Chepkasov S.Y., Kuznetsov S.A. Analytical and Technological Research Center “High Technologies & Nanostructured Materials”: History, Formation and Achieved Results. SIBERIAN JOURNAL OF PHYSICS. 2022;17(3):66-88. (In Russ.) https://doi.org/10.25205/2541-9447-2022-17-3-66-88

Просмотров: 721


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2541-9447 (Print)