Получение и морфологические исследования эпитакcиальных слоев твердого раствора Si1–xGex
https://doi.org/10.25205/2541-9447-2020-15-2-84-91
Аннотация
Показан выбор оптимального режима технологического процесса роста эпитаксиальных слоев твердых растворов Si1–xGex из оловянного и галлиевого раствора – расплава на подложку Si<111> с наименьшими плотностями дислокаций, которые достигнуты нами экспериментально. Обнаружена экспоненциальная зависимость между величинами плотности дислокации и толщины пленки. С плавным переменным составом структуры, соответственно плавно изменяя параметры решетки варизонного твердого раствора, получены структурно совершенные эпитаксиальные слои Si1–xGex (0 < x < 1).
Ключевые слова
При поддержке: Работа выполнена по гранту ФА-Ф2-003 АН РУз: «Фото-, теплоэлектрические и излучательные эффекты в новых многокомпонентных твердых растворах с нанокристаллами на основе молекул элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений»
Об авторах
А. С. Саидов
Физико-технический институт им. А. В. Стародубцева АН РУз
Узбекистан
Узбекистан
Саидов Амин Сафарбоевич, доктор физико-математических наук, профессор
Ташкент
А. Ш. Раззоков
Ургенчский государственный университет
Узбекистан
Узбекистан
Раззоков Алижон Шоназарович, кандидат физико-математических наук, доцент
Ургенч
Список литературы
1. Elham M. T.,Fadaly, Alain Dijkstra, Jens Renè Suckert, Dorian Ziss, Marvin A. J. van Tilburg, Chenyang Mao, Yizhen Ren, Victor T. van Lange, Ksenia Korzun, Sebastian Kölling, Marcel A. Verheijen, David Busse, Claudia Rödl, Jürgen Furthmüller, Friedhelm Bechstedt, Julian Stangl, Jonathan J. Finley, Silvana Botti, Jos E. M. Haverkort & Erik P. A. M. Bakkers. Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys. Nature, 2020, no. 580, p. 205–209.
2. Kwang-Won Jo, Wu-Kang Kim, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi. Impact of SiGe layer thickness in starting substrates on strained Ge-on-insulator pMOSFETs fabricated by Ge condensation method. Appl. Phys. Lett., 2019, no. 114, p. 062101.
3. Тимофеев В. А. Морфология и структура поверхности на начальных стадиях роста пленок GeSi и GeSiSn на Si(100): Дис. … канд. физ.-мат. наук. Новосибирск, 2014.
4. Саидов А. С., Усманов Ш. Н., Каланов М. У., Курмантаев А. Н., Бахтибаев А. Н. Структурные и некоторые электрофизические свойства твердого раствора Si1–xSnx //Физика твердого тела. 2013. Т. 55, вып. 1. C. 36–43.
5. Сапаев Б., Саидов А. С. Исследование некоторых свойств структур Si – Si1–xGex (0 ≤ x ≤ 1), выращенных из ограниченного оловянного раствора-расплава методом жидкофазной эпитаксии //Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39, вып. 10. C. 1183– 1188.
6. Саидов А. С., Усманов Ш. Н., Холиков К. Т., Сапаров Д. Получение и исследование непрерывного твердого раствора //Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33, вып. 16. C. 59–64.
7. Андреев В. М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975.
8. Саидов А. С., Саидов М. С., Кошчанов Э. А. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе: Монография. Ташкент: Фан, 1986. 128 с.
9. Алфимова Д. Л., Лунин Л. С., Лунина М. Л., Арустамян Д. А., Казакова А. Е., Чеботарев С. Н. Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs /GaAs //Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, вып. 10. C. 1426–1433.
Рецензия
Для цитирования:
Саидов А.С., Раззоков А.Ш. Получение и морфологические исследования эпитакcиальных слоев твердого раствора Si1–xGex. Сибирский физический журнал. 2020;15(2):84-91. https://doi.org/10.25205/2541-9447-2020-15-2-84-91
For citation:
Saidov A.S., Razzokov A.Sh. Preparation and Morphological Studies of Epitaxial Layers of a Solid Solution Si1–xGex. SIBERIAN JOURNAL OF PHYSICS. 2020;15(2):84-91. (In Russ.) https://doi.org/10.25205/2541-9447-2020-15-2-84-91
Просмотров:
273
Послать статью по эл. почте 