ФОРМИРОВАНИЕ СЛОЕВ ПОРИСТОГО ГЕРМАНИЯ И ИХ ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ
https://doi.org/10.25205/2541-9447-2018-13-3-78-81
Аннотация
Пленки пористого германия получали путем селективного удаления матрицы GeO2 из гетерослоев GeO2 в деионизованной воде или HF. На основе данных ИК-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) было сделано предположение, что после травления гетерослоев GeO2 формируется устойчивый каркас скелетного типа из слипшихся Ge наночастиц. В сформированных пленках пористого германия размеры Ge нанокристаллов уменьшались за счет окисления на воздухе и проявлялся эффект резонансного КРС. Резонансное КРС сопровождалось возникновением фотолюминесценции (ФЛ) (полосы в диапазоне 2,1-2,5 и 1,5-1,7 эВ) при возбуждении лазером с энергией кванта 2,6 эВ при комнатной температуре. Сигналы ФЛ в диапазоне 2,1-2,5 эВ можно объяснить высокоэнергетическими переходами в Ge нанокристаллах.
Об авторах
Е. Б. Горохов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия
Россия
К. Н. Астанкова
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия
Россия
В. А. Володин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет
Россия
Россия
А. Ю. Кравцова
Новосибирский государственный технический университет
Россия
Россия
А. В. Латышев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет
Россия
Россия
Список литературы
1. ing С., Zhang C., Zang X., Zhou W., Bai W., Lin T., Chu J. Fabrication and characteristics of porous germanium films // Sci. Technol. Adv. Mater. 2009. Vol. 10. P. 065001
2. Volodin V. A., Marin D. V., Sachkov V. A., Gorokhov E. B., Rinnet H., Vergnat M. Applying an improved phonon confinement model to the analysis of Raman spectra // ЖЭТФ. 2014. Т. 145, вып. 1. С. 77-83
3. Володин В. А., Ефремов М. Д., Никифоров А. И., Орехов Д. А., Пчеляков О. П., Ульянов В. В. Резонансное комбинационное рассеяние света в наноостровках Ge, сформированных на подложках Si(111), покрытой ультратонким слоем SiO2 // ФТП. 2003. Т. 37, вып. 10. С. 1220-1224.
4. Niquet Y. M., Allan G., Delerue C., Lannoo M. Quantum confinement in germanium nanocrystals // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77. P. 1182-1184.
5. Volodin V. A., Gorokhov E. B., Marin D. V., Rinnert H., Miska P., Vergnat M. Quasi-direct optical transitions in Ge nanocrystals embedded in GeO2 matrix // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т. 89, вып. 2. С. 84-88.
Рецензия
Для цитирования:
Горохов Е.Б., Астанкова К.Н., Володин В.А., Кравцова А.Ю., Латышев А.В. ФОРМИРОВАНИЕ СЛОЕВ ПОРИСТОГО ГЕРМАНИЯ И ИХ ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ. Сибирский физический журнал. 2018;13(3):78-81. https://doi.org/10.25205/2541-9447-2018-13-3-78-81
For citation:
Gorokhov E.B., Astankova K.N., Volodin V.A., Kravtsova A.Yu., Latyshev A.V. POROUS Ge LAYER FORMATION AND THEIR STUDY BY OPTICAL METHODS. SIBERIAN JOURNAL OF PHYSICS. 2018;13(3):78-81. (In Russ.) https://doi.org/10.25205/2541-9447-2018-13-3-78-81
Просмотров:
145
Послать статью по эл. почте 