INFLUENCE OF IMPURITY CENTERS AND RECOMBINATION PROCESSES ON PHOTOELECTRICITY OF PHOTOELEMENTS
https://doi.org/10.25205/2541-9447-2018-13-2-80-85
Abstract
The article deals with photoelectric phenomena in solar batteries, as well as the influence of impurity atoms and recombination processes on the photosensitivity of photocells. Explained the relationship between the rate of recombination in semiconductors and the concentration of carriers of a non-equilibrium charge formed under the influence of light. The dependence of the lifetime of charge carriers on the location of recombination centers is also shown.
Keywords
silicon,
photocell,
impurity,
generation,
recombination,
semiconductor,
photosensitivity,
solar battery
References
1. Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики: Пер. с англ. / Под ред. Т. Коутса, Дж. Микина. М.: Мир, 1988.
2. Ольховский Г. Г. Глобальные проблемы энергетики // Электрические станции. 2005. № 1. С. 4-10.
3. Гуламова М. А., Потаенко К. Д., Турсунов М. Н. и др. Солнечные элементы из отходов монокремния серийного производства // Гелиотехника. 1990. № 4.
4. Афанасьев В. П., Теруков Е. И., Шерченков А. А. Тонкопленочные солнечные элементы на основе кремния. 2-е изд. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ«ЛЭТИ», 2011.
5. Кашкаров А. П. Ветрогенераторы, солнечные батареи и другие полезные конструкции. М.: ДМКПресс, 2011.
6. Каримов Б. Х. Учебник по дисциплине «Электроника и микроэлектроника». Фергана, 2011.
7. Юнусов М. С. Физические явления в кремнии, легированном элементами платиновой группы. Ташкент: Фан, 1983, 80 с.
8. Юнусов М. С. Природа глубоких примесных центров, создаваемых атомами группы платины в кремнии // Глубокие уровни в полупроводниках / Под ред. В. И. Фистуля. Ташкент: ТашГУ, 1981. С. 45-51.
9. Азимов С. А., Юнусов М. С., Турсунов Н. А., Султонов Н. А. Некоторые свойства кремния с примесью палладия // ФТП. 1972. Т. 6, вып. 8. С. 1438.
10. Азимов С. А., Умаров Б. В., Юнусов М. С. Исследование диффузии и растворимости иридия в кремнии // ФТП. 1976. Т. 10, вып. 7. С. 1418.
11. Юнусов М. С., Турсунов Н. А. Электро-физические свойства кремния с примесью рутения // ФТП. 1974. Т. 8, вып. 6. С. 1145.
12. Юнусов М. С., Каримов М., Кочкаров Р. Х. Влияние радиации на параметры фоточувствительных структур на основе Si <S>, Si <Rh> // Актуальные проблемы полупроводниковых структурных элементов: Тез. докл. республиканской науч. конф. Фергана, 1992. С. 34.
Review
For citations:
Alikulov M.N. INFLUENCE OF IMPURITY CENTERS AND RECOMBINATION PROCESSES ON PHOTOELECTRICITY OF PHOTOELEMENTS. SIBERIAN JOURNAL OF PHYSICS. 2018;13(2):80-85. (In Russ.) https://doi.org/10.25205/2541-9447-2018-13-2-80-85
Views:
166
Email this article 