nguphysСибирский физический журналSIBERIAN JOURNAL OF PHYSICS2541-9447Новосибирский государственный университет10.25205/2541-9447-2018-13-2-80-85nguphys-35Research ArticleФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ПОЛУПРОВОДНИКОВ, НАНОСТРУКТУРSOLID-STATE AND SEMICONDUCTOR PHYSICS, PHYSICS OF NANOSTRUCTURESВЛИЯНИЕ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ И ПРОЦЕССОВ РЕКОМБИНАЦИИ НА ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ФОТОЭЛЕМЕНТОВINFLUENCE OF IMPURITY CENTERS AND RECOMBINATION PROCESSES ON PHOTOELECTRICITY OF PHOTOELEMENTSАликуловМ. Н.AlikulovM. N.noemail@neicon.ruКаршинский инженерно-экономический институтРоссияKarshi Engineering-Economics InstituteRussian Federation2018261020201328085Copyright © Аликулов М.Н., 20202020Аликулов М.Н.Alikulov M.N.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://nguphys.elpub.ru/jour/article/view/35

Рассматриваются фотоэлектрические явления в солнечных батареях, а также влияние примесных атомов и рекомбинационных процессов на фоточувствительность фотоэлементов. Разъяснена связь скорости рекомбинации в полупроводниках с концентрацией носителей неравновесного заряда, образующейся под воздействием света. Также показана зависимость времени жизни носителей заряда с расположением центров рекомбинации.

The article deals with photoelectric phenomena in solar batteries, as well as the influence of impurity atoms and recombination processes on the photosensitivity of photocells. Explained the relationship between the rate of recombination in semiconductors and the concentration of carriers of a non-equilibrium charge formed under the influence of light. The dependence of the lifetime of charge carriers on the location of recombination centers is also shown.

кремнийфотоэлементпримесьгенерациярекомбинацияполупроводникфоточувствительностьсолнечная батареяsiliconphotocellimpuritygenerationrecombinationsemiconductorphotosensitivitysolar batteryReferencesСовременные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики: Пер. с англ. / Под ред. Т. Коутса, Дж. Микина. М.: Мир, 1988.Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики: Пер. с англ. / Под ред. Т. Коутса, Дж. Микина. М.: Мир, 1988.Ольховский Г. Г. Глобальные проблемы энергетики // Электрические станции. 2005. № 1. С. 4-10.Ольховский Г. Г. Глобальные проблемы энергетики // Электрические станции. 2005. № 1. С. 4-10.Гуламова М. А., Потаенко К. Д., Турсунов М. Н. и др. Солнечные элементы из отходов монокремния серийного производства // Гелиотехника. 1990. № 4.Гуламова М. А., Потаенко К. Д., Турсунов М. Н. и др. Солнечные элементы из отходов монокремния серийного производства // Гелиотехника. 1990. № 4.Афанасьев В. П., Теруков Е. И., Шерченков А. А. Тонкопленочные солнечные элементы на основе кремния. 2-е изд. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ«ЛЭТИ», 2011.Афанасьев В. П., Теруков Е. И., Шерченков А. А. Тонкопленочные солнечные элементы на основе кремния. 2-е изд. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ«ЛЭТИ», 2011.Кашкаров А. П. Ветрогенераторы, солнечные батареи и другие полезные конструкции. М.: ДМКПресс, 2011.Кашкаров А. П. Ветрогенераторы, солнечные батареи и другие полезные конструкции. М.: ДМКПресс, 2011.Каримов Б. Х. Учебник по дисциплине «Электроника и микроэлектроника». Фергана, 2011.Каримов Б. Х. Учебник по дисциплине «Электроника и микроэлектроника». Фергана, 2011.Юнусов М. С. Физические явления в кремнии, легированном элементами платиновой группы. Ташкент: Фан, 1983, 80 с.Юнусов М. С. Физические явления в кремнии, легированном элементами платиновой группы. Ташкент: Фан, 1983, 80 с.Юнусов М. С. Природа глубоких примесных центров, создаваемых атомами группы платины в кремнии // Глубокие уровни в полупроводниках / Под ред. В. И. Фистуля. Ташкент: ТашГУ, 1981. С. 45-51.Юнусов М. С. Природа глубоких примесных центров, создаваемых атомами группы платины в кремнии // Глубокие уровни в полупроводниках / Под ред. В. И. Фистуля. Ташкент: ТашГУ, 1981. С. 45-51.Азимов С. А., Юнусов М. С., Турсунов Н. А., Султонов Н. А. Некоторые свойства кремния с примесью палладия // ФТП. 1972. Т. 6, вып. 8. С. 1438.Азимов С. А., Юнусов М. С., Турсунов Н. А., Султонов Н. А. Некоторые свойства кремния с примесью палладия // ФТП. 1972. Т. 6, вып. 8. С. 1438.Азимов С. А., Умаров Б. В., Юнусов М. С. Исследование диффузии и растворимости иридия в кремнии // ФТП. 1976. Т. 10, вып. 7. С. 1418.Азимов С. А., Умаров Б. В., Юнусов М. С. Исследование диффузии и растворимости иридия в кремнии // ФТП. 1976. Т. 10, вып. 7. С. 1418.Юнусов М. С., Турсунов Н. А. Электро-физические свойства кремния с примесью рутения // ФТП. 1974. Т. 8, вып. 6. С. 1145.Юнусов М. С., Турсунов Н. А. Электро-физические свойства кремния с примесью рутения // ФТП. 1974. Т. 8, вып. 6. С. 1145.Юнусов М. С., Каримов М., Кочкаров Р. Х. Влияние радиации на параметры фоточувствительных структур на основе Si <S>, Si <Rh> // Актуальные проблемы полупроводниковых структурных элементов: Тез. докл. республиканской науч. конф. Фергана, 1992. С. 34.Юнусов М. С., Каримов М., Кочкаров Р. Х. Влияние радиации на параметры фоточувствительных структур на основе Si <S>, Si <Rh> // Актуальные проблемы полупроводниковых структурных элементов: Тез. докл. республиканской науч. конф. Фергана, 1992. С. 34.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.