ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ И ПРОЦЕССОВ РЕКОМБИНАЦИИ НА ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ
https://doi.org/10.25205/2541-9447-2018-13-2-80-85
Аннотация
Рассматриваются фотоэлектрические явления в солнечных батареях, а также влияние примесных атомов и рекомбинационных процессов на фоточувствительность фотоэлементов. Разъяснена связь скорости рекомбинации в полупроводниках с концентрацией носителей неравновесного заряда, образующейся под воздействием света. Также показана зависимость времени жизни носителей заряда с расположением центров рекомбинации.
Ключевые слова
кремний,
фотоэлемент,
примесь,
генерация,
рекомбинация,
полупроводник,
фоточувствительность,
солнечная батарея
Список литературы
1. Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики: Пер. с англ. / Под ред. Т. Коутса, Дж. Микина. М.: Мир, 1988.
2. Ольховский Г. Г. Глобальные проблемы энергетики // Электрические станции. 2005. № 1. С. 4-10.
3. Гуламова М. А., Потаенко К. Д., Турсунов М. Н. и др. Солнечные элементы из отходов монокремния серийного производства // Гелиотехника. 1990. № 4.
4. Афанасьев В. П., Теруков Е. И., Шерченков А. А. Тонкопленочные солнечные элементы на основе кремния. 2-е изд. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ«ЛЭТИ», 2011.
5. Кашкаров А. П. Ветрогенераторы, солнечные батареи и другие полезные конструкции. М.: ДМКПресс, 2011.
6. Каримов Б. Х. Учебник по дисциплине «Электроника и микроэлектроника». Фергана, 2011.
7. Юнусов М. С. Физические явления в кремнии, легированном элементами платиновой группы. Ташкент: Фан, 1983, 80 с.
8. Юнусов М. С. Природа глубоких примесных центров, создаваемых атомами группы платины в кремнии // Глубокие уровни в полупроводниках / Под ред. В. И. Фистуля. Ташкент: ТашГУ, 1981. С. 45-51.
9. Азимов С. А., Юнусов М. С., Турсунов Н. А., Султонов Н. А. Некоторые свойства кремния с примесью палладия // ФТП. 1972. Т. 6, вып. 8. С. 1438.
10. Азимов С. А., Умаров Б. В., Юнусов М. С. Исследование диффузии и растворимости иридия в кремнии // ФТП. 1976. Т. 10, вып. 7. С. 1418.
11. Юнусов М. С., Турсунов Н. А. Электро-физические свойства кремния с примесью рутения // ФТП. 1974. Т. 8, вып. 6. С. 1145.
12. Юнусов М. С., Каримов М., Кочкаров Р. Х. Влияние радиации на параметры фоточувствительных структур на основе Si <S>, Si <Rh> // Актуальные проблемы полупроводниковых структурных элементов: Тез. докл. республиканской науч. конф. Фергана, 1992. С. 34.
Рецензия
Для цитирования:
Аликулов М.Н. ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ И ПРОЦЕССОВ РЕКОМБИНАЦИИ НА ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ. Сибирский физический журнал. 2018;13(2):80-85. https://doi.org/10.25205/2541-9447-2018-13-2-80-85
For citation:
Alikulov M.N. INFLUENCE OF IMPURITY CENTERS AND RECOMBINATION PROCESSES ON PHOTOELECTRICITY OF PHOTOELEMENTS. SIBERIAN JOURNAL OF PHYSICS. 2018;13(2):80-85. (In Russ.) https://doi.org/10.25205/2541-9447-2018-13-2-80-85
Просмотров:
165
Послать статью по эл. почте 