Особенности определения оптических параметров (n и κ) полупроводниковой гетероструктуры из спектров пропускания и отражения
https://doi.org/10.25205/2541-9447-2022-17-4-87-94
Аннотация
Спектры показателя преломления n и коэффициента экстинкции κ тонкой пленки, образуемой гетероструктурой в виде сверхрешетки In0,2Ga0,8As/GaAs, определяются из сравнения измеренных коэффициентов отражения и пропускания образца, выращенного на подложке GaAs, с соответствующими характеристиками, рассчитанными матричным методом. Значения n и κ сверхрешетки находятся из процедуры минимизации по параметрам n и κ целевой функции F(n, κ), образованной суммой модулей разностей измеренных и рассчитанных коэффициентов отражения и пропускания.
При поддержке: Автор признателен сотрудникам ИФП СО РАН канд. физ.-мат. наук Б. Р. Семягину за выращивание образца полупроводниковой сверхрешетки и д-ру физ.-мат. наук Н. Н. Рубцовой за полезные обсуждения.
Об авторе
А. А. Ковалёв
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Россия
Россия
Ковалёв Александр Анатольевич, кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник
Новосибирск
Список литературы
1. Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon // J. Phys. E: Sci. Instrum. 1983. 16. P. 1214–1222.
2. Jena S., Tokas R. B., Thakur S. and Udup D. V. PRISA: a user-friendly software for determining refractive index, extinction co-efficient, dispersion energy, band gap, and thickness of semiconductor and dielectric thin films // Nano Express. 2021. 2. P. 010008 (13p).
3. Leung M. M. Y., Djuriŝić A. B., and Li E. H. Refractive index of InGaN/GaN quantum well // Journal of Applied Physics. 1998. 84. P. 6312–6317.
4. Adachi S. Optical properties of AlxGa1-xAs alloys // Phys. Rev. B. 1988. P. 12345.
5. Guo Q., Kato O., Fujisawa M., and Yoshida A. Optical constants of indium nitride // Solid State Communications. 1992. 83. P. 721–723.
6. Cheung S. K., Wang H., Huang W., and Jain F. Optical characterization of InGaAs–GaAs multiple quantum wells using variable angle spectroscopic ellipsometry for designing tunable modulators // Appl. Phys. 1997. 81. P. 497–501.
7. Кардона М., Петер Ю. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит. 2002. 560 с.
8. Ландау Л., Лифшиц Е. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука. 1982. 620 с.
9. Buffeteau T., Desbat B. Thin-Film Optical Constants Determined from Infrared Reflectance and Transmittance Measurements // Appl. Spectroscopy. 1989. 43. P. 1027–1032.
10. Ковалёв А. А. Измерение спектра отражения в однолучевой схеме // ПТЭ. 2020. № 6. С. 53–56.
11. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1973. 720 с.
12. Adachi S. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors. Kluwer Academic Publishers, 1999. 736 p.
Рецензия
Для цитирования:
Ковалёв А.А. Особенности определения оптических параметров (n и κ) полупроводниковой гетероструктуры из спектров пропускания и отражения. Сибирский физический журнал. 2022;17(4):87-94. https://doi.org/10.25205/2541-9447-2022-17-4-87-94
For citation:
Kovalyov A.A. Peculiarities of Determination of the Optical Parameters (n and κ) of a Semiconductor Heterostructure from Transmission and Reflection Spectra. SIBERIAN JOURNAL OF PHYSICS. 2022;17(4):87-94. (In Russ.) https://doi.org/10.25205/2541-9447-2022-17-4-87-94
Просмотров:
180
Послать статью по эл. почте 