Кафедра физики полупроводников физического факультета Новосибирского государственного университета

Кафедра физики полупроводников физического факультета НГУ готовит специалистов для научно-исследовательской работы в области физики конденсированного состояния, физики полупроводников и физики низкоразмерных систем и наноструктур. Кафедра дает знания, обеспечивающие возможность ее выпускникам участвовать в развитии полупроводниковых технологий, совершенствовании существующих и создании новых приборов оптоэлектроники, микро- и наноэлектроники. В статье изложена история создания кафедры, прослежены основные этапы формирования учебных курсов и работы по организации научно-исследовательской практики студентов в лабораториях Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП СО РАН) – базового Института кафедры. Дан обзор преподаваемых на кафедре учебных курсов для подготовки бакалавров и магистров. Рассказано о научных и технологических достижениях ИФП СО РАН, об имеющемся в лабораториях Института уникальном измерительном, аналитическом и технологическом оборудовании, что служит основой для организации научно-исследовательской работы студентов на высоком научно-методическом уровне.

1. Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964–2014) / Отв. ред. А. В. Латышев, А. В. Двуреченский, А. Л. Асеев. Новосибирск: Параллель, 2014. 844 с.

2. Latyshev A. V., Dvurechenskii A. V., Aseev A. L. Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Inc, 2017. 527 p.

3. Latyshev A. V., Fedina L. I., Rogilo D. I., Sitnikov S. V., Kosolobov S. S. Atomically Controlled Silicon Surface. Novosibirsk, Parallel, 2016, 220 p.

4. Pchelyakov O. P., Dvurechenskii A. V., Latyshev A. V., Aseev A. L. Ge/Si heterostructures with coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronics. Semicond. Sci. Technol., 2011, vol. 26, no. 1, pp. 14–27.

5. Gusev G. M., Olshanetsky E. B., Kvon Z. D., Mikhailov N. N., Dvoretsky S. A., Portal J. C. Quantum Hall Effect near the Charge Neutrality Point in a Two-Dimensional Electron-Hole System. Phys. Rev. Lett., 2010, vol. 104, pp. 166401–166404.

6. Maier H., Ziegler J., Fischer R., Kozlov D., Kvon Z. D., Mikhailov N., Dvoretsky S. A., Weiss D. Ballistic Geometric Resistance Resonances in a Single Surface of a Topological Insulator. Nat. Commun., 2017, vol. 8, 2023.

7. Reimann J., Schlauderer S., Schmid C. P., Langer F., Baierl S., Kokh K. A., Tereshchenko O. E., Kimura A., Lange C., Güdde J., Höfer U., Huber R. Subcycle observation of lightwave-driven Dirac currents in a topological surface band. Nature, 2018. vol. 562, pp. 396–400.

8. Córdoba R., Baturina T. I., Sesé J., Mironov A. Yu., Teresa J. M. de, Ibarra M. R., Nasimov D. A., Gutakovskii A. K., Latyshev A. V., Guillamón I., Suderow H., Viera S., Baklanov M. R, Palacios J. J., Vinokur V. M. Magnetic field-induced dissipation-free state in superconducting nanostructures. Nat. Commun., 2013, vol. 4, 1437.

9. Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур / Отв. ред. А. Л. Асеев. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2012. 258 с.

10. Novotný O., Wilhelm P., Paul D., Kálosi Á., Saurabh S., Becker A., Blaum K., George S., Göck J., Grieser M., Grussie F., R. von Hahn, Krantz C., Kreckel H., Meyer C., Mishra P. M., Muell D., Nuesslein F., Orlov D. A., Rimmler M., Schmidt V. C., Shornikov A., Terekhov A. S., Vogel S., Zajfman D., Wolf A. Quantum-state-selective electron recombination studies suggest enhanced abundance of primordial HeH+. Science, 2019, vol. 365, no. 6454, pp. 676–679.