Влияние способов легирования на свойства элементов с аномально фотовольтаическими эффектами
https://doi.org/10.25205/2541-9447-2020-15-2-92-96
Аннотация
В данной работе приведены общие исследования влияния способов легирования на свойства элементов с аномальными фотовольтаическими эффектами, также исследован процесс легирования полукристаллических тонких пленок CdTe с изовалентными примесями. Изучен процесс термической диффузии.
Об авторах
Р. А. Нурдинова
Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
Узбекистан
Узбекистан
А. Ш. Алимжонова
Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
Узбекистан
Узбекистан
Список литературы
1. Касимахунова А. М., Найманбаев Р., Мамадалиева Л. К., Нурдинова Р. А., Олимов Ш. А. Исследования некоторых явлений в АФН-структурах с изовалентными примесями для разработки приборов и устройств для неразрушающего контроля и измерения //Computational nanotechnology. 2018. № 2. С. 72–75.
2. Атакулов Б. А., Абдуллаев Э. А., Эргашев Ж. Э., Каримов М. А., Юлдашев Н. Х. Технология получения фотоэлектретов «Без внешнего поля» на основе АФН пленок СdTe:Ag и исследование их фотои тензоэлектрических свойств //Материалы III Всесоюз. науч.-техн. семинара-совещания «Перспективы развития и практическое применение методов тензометрии при исследовании прочности конструкции». Фергана, 1983. С. 212–246.
3. Матбабаева Ш. М. и др. Фотопроводимость пленок из CdTe:B:Ag с аномальным фотовольтаическим свойством //ФерПИ, НТЖ. 2002. № 4. С. 7.
4. Мирзаева З. И., Набиев Г. А., Эргашов К. М. Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в однородных полупроводниках // ФИП. 2008. Т. 6, № 1-2. С. 65–69.
5. Seidel Yang J., Byrnes S. J., Shafer P., Yang C.-H., Rossell M. D., Yu P., Chu Y.-H. Above-bandgap voltages from ferroelectric photovoltaic devices. Аrticles published online: 10 January 2010. DOI 10.1038/nnano.2009
6. Kasimakhunova A., Naymanbayev R., Mamadalieva L., Nurdinova R. A., Olimov Sh. Research of AHV-effect in films and crystals with the effect of the double luxurification. Computational nanotechnology, 2018, no. 3, p. 44–48.
7. Касимахунова А. М., Нурдинова Р. А. АФН-элементы с двойным лучепре-ломлением.
8. Uzbek Jornal of Physics, 2017, vol. 19 (5), p. 302–306.
9. Случинская И. А. Основы материаловедения и технологии полупроводников. М., 2002.
10. Mesa F., Gordillo G., Dittrich T., Ellmer K., Baier R., Sadewasser S. Transient surface photovoltage of p-type Cu3BiS3. Appl. Phys. Lett., 2010, vol. 96, p. 082-113.
Рецензия
Для цитирования:
Нурдинова Р.А., Алимжонова А.Ш. Влияние способов легирования на свойства элементов с аномально фотовольтаическими эффектами. Сибирский физический журнал. 2020;15(2):92-96. https://doi.org/10.25205/2541-9447-2020-15-2-92-96
For citation:
Nurdinova R.A., Alimjonova A.Sh. Influence of Methods of Alloying on the Properties of Elements with Anomalous Photovoltaic Effects. SIBERIAN JOURNAL OF PHYSICS. 2020;15(2):92-96. (In Russ.) https://doi.org/10.25205/2541-9447-2020-15-2-92-96
Просмотров:
157
Послать статью по эл. почте 