Определение нестационарного температурного поля в многослойном (трехслойном) цилиндрическом модуле на SiGe
https://doi.org/10.25205/2541-9447-2024-19-4-85-94
Аннотация
Проведено исследование температурного поля трехслойного термоэлемента на основе SiGe в нестационарном режиме. На основе проведенного анализа процесса предложена и обоснована математическая модель нестационарного теплообмена. Получены аналитические зависимости для работы нестационарного температурного поля. Изучено распределение температур в цилиндрических слоях. Для каждого слоя рассчитаны коэффициенты теплопроводности, критерии Фурье, критерии Био, а также коэффициент термоЭДС.
Об авторе
Г. С. Хагба
Абхазский государственный университет
Россия
Россия
Герман Семенович Хагба, старший преподаватель
Республика Абхазия; Сухум
Список литературы
1. Анатачук Л. И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. Киев: Наукова думка, 1979. С. 768.
2. Анатачук Л. И., Мочернюк Ю. Н., Прибыла А. В. О солнечных термоэлектрических преобразователях энергии // Термоэлектричество. 2013. № 5. С. 41–48.
3. Лобунец Ю. Н. Солнечный пруд с термоэлектрическим преобразователем энергии // Термоэлектричество. 2013. № 2. С. 95–99.
4. Odia A., Llin L., Pal D., Isella G. Modelling and experimental verification of a Ge/SiGe thermoelectric generator // 11<sup>th</sup> Conference an Ph. D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Glacgow, uk, 29 June – 2 July 2015.
5. Akhmetov D., Korotko A., Rumyancev I. 2,4-2,5 6 hz Fractional-N Frequency Synthesizer with Integrated VCO in 0,18 um CMOS for RFID Systems // Proc IEEE International Conferenca on Electric Engineering and Photonics (EExPolytech), St. Petersburg, 22–23, October 2018. Р. 64–
6.
7. Кудинов В. А. Аналитические решения задач тепломассопереноса для многослойной конструкции. М.: Высш. шк., 2005. С. 250–255.
8. Дударев Ю. И., Максимов М. З., Никоненко Л. К. Нестационарное температурное поле многослойных цилиндрических систем // ИФЖ. 1988. Т. 55. № 4. С. 626–627.
9. Корташов Э. М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердых тел. М.: Высш. шк., 2001. С. 401–403.
10. Хагба Г. С. Определение нестационарного, температурного поля ограниченного, полупроводникового, цилиндрического термоэлемента на основе sige методом разделения переменных, в процессе охлаждения // Международный научный журнал «Научные вести». 2024. № 5(69). С. 72–89.
11. Wood T., Naffouti M., Berthelot J., David T., Claude J.-B., Metayer L., Delobbe A., Favre L., Ronda A., Berberien I., Donod N., Abbarchi M. All – Dielectric Color Using SiGe – Based Mie Resonator Arrays // ACS Photonics. 2017. Vol. 4. № 4. P. 873–883.
12. Zhigunov D. M., Evlyukhin A. B., Shalin A.S.S., Zywietz U., Chichkov B. N. Femtosecond Laser Printing of Single Ge and SiGe. Nanoparticles with Electric and Magnetic Optical Resonances // ACS Photonics. 2018. Vol. 5. № 3. P. 977–983.
13. Yan Y., Yang Y., Bian X., Feng J., An Y., Yuan C. Morphology – and Porosity – Tunable Synthesis of 3D Nanoporous SiGe Alloy as a High-Perfomance Lithium – Ion Battery Anode // ACS Nano. 2018. Vol. 12. № 3. P. 2900–2908.
Рецензия
Для цитирования:
Хагба Г.С. Определение нестационарного температурного поля в многослойном (трехслойном) цилиндрическом модуле на SiGe. Сибирский физический журнал. 2024;19(4):85-94. https://doi.org/10.25205/2541-9447-2024-19-4-85-94
For citation:
Hagba G.S. Determination of an Unsteady Temperature Field in a Multilayer (Three-Layer) Cylindrical Module Samples of Siege. SIBERIAN JOURNAL OF PHYSICS. 2024;19(4):85-94. (In Russ.) https://doi.org/10.25205/2541-9447-2024-19-4-85-94
Просмотров:
72
Послать статью по эл. почте 