nguphysСибирский физический журналSIBERIAN JOURNAL OF PHYSICS2541-9447Новосибирский государственный университет10.25205/2541-9447-2018-13-3-73-77nguphys-50Research ArticleКОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ - 90 ЛЕТ ИССЛЕДОВАНИЙМНОГОЗОННОЕ РЕЗОНАНСНОЕ РАМАНОВСКОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА В АЛМАЗЕ С АЗОТОЗАМЕЩЕННЫМИ ВАКАНСИОННЫМИ ЦЕНТРАМИ (на англ. яз.)MULTIBAND RESONANT RAMAN LIGHT SCATTERING IN DIAMOND WITH NITROGEN VACANCY CENTERSБайрамовБ. Х.BairamovB. H.bairamov@mail.ioffe.ruТопоровВ. В.ToporovV. V.noemail@neicon.ruБайрамовФ. Б.BayramovF. B.noemail@neicon.ruБуравлевА. Д.BouravleuvA. D.noemail@neicon.ruХолмиТ. Й.HolmiJ. T.noemail@neicon.ruЛипсаненХ.LipsanenH. ..noemail@neicon.ruПоповВ. П.PopovV. P.noemail@neicon.ruКуприяновИ. Н.KuprianovI. N.noemail@neicon.ruПальяновЮ. Н.PalyanovYu. N.noemail@neicon.ruБраукманнД.BraukmannD. ..noemail@neicon.ruДебусЙ.DebusJ. ..noemail@neicon.ruЯковлевД. Р.YakovlevD. R.noemail@neicon.ruБайерМ. Х.BayerM. ..noemail@neicon.ruФизико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАНРоссияIoffe Institute RAS; St. Petersburg National Research Academic University RASRussian FederationФизико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАНРоссияIoffe Institute RASRussian FederationСанкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАНРоссияSt. Petersburg National Research Academic University RASRussian FederationУниверситета АалтоРоссияAalto UniversityRussian FederationИнститут физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАНРоссияRzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RASRussian FederationИнститут геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАНРоссияSobolev Institute of Geology and Mineralogy SB RASRussian FederationТехнический университет ДортмундаРоссияTechnische Universitat DormundRussian FederationФизико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Технический университет ДортмундаРоссияIoffe Institute RAS; Technische Universitat DormundRussian Federation2018261020201337377Copyright © Байрамов Б.Х., Топоров В.В., Байрамов Ф.Б., Буравлев А.Д., Холми Т.Й., Липсанен Х..., Попов В.П., Куприянов И.Н., Пальянов Ю.Н., Браукманн Д..., Дебус Й..., Яковлев Д.Р., Байер М.Х., 20202020Байрамов Б.Х., Топоров В.В., Байрамов Ф.Б., Буравлев А.Д., Холми Т.Й., Липсанен Х., Попов В.П., Куприянов И.Н., Пальянов Ю.Н., Браукманн Д., Дебус Й., Яковлев Д.Р., Байер М.Х.Bairamov B.H., Toporov V.V., Bayramov F.B., Bouravleuv A.D., Holmi J.T., Lipsanen H..., Popov V.P., Kuprianov I.N., Palyanov Y.N., Braukmann D..., Debus J..., Yakovlev D.R., Bayer M...Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://nguphys.elpub.ru/jour/article/view/50

Сообщается о результатах исследований поляризованного рамановского рассеяния света и фотолюминесценции в алмазе, легированном азотом. Экспериментальные данные демонстрируют наблюдение аномального увеличением интенсивности неупругого рассеяния света оптическими фононами и фотолюминесценции при комнатной температуре при резонансном возбуждении с обеими бесфононными линиями азотозамещенными вакансионными (NV) центрами: нейтрального центра NV0 при 575,468 нм и отрицательно заряженного центра NV¯ при 637,874 нм, а также для их характерных электронно-колебательных комплексов, соответственно распределенных в широком спектральном диапазоне. Данные позволяют наблюдать сильный резонанс во входном канале для NV0 центра и выходном канале для NV¯ центра.

We report results of polarized Raman scattering and photoluminescence studies of nitrogen-doped diamond. Experimental data demonstrates observation of an anomalous increase in the intensity of the inelastic light scattering by optical phonons and photoluminescence at room temperature by both zero-phonon lines: for the neutral nitrogen NV0 center at 575.468 nm and for the other negatively-charged nitrogen NV- center 637.874 nm as well as for their vibronic phonon side bands correspondingly distributed in a wide spectral range. The data enables observation of the strong in-coming resonance for nitrogen NV0 and out-going resonance for nitrogen NV- centers.

многозонное резонансное рамановское рассеяние света оптическими фононамибесфононные линиирезонанс во входном канале для NV0 центра и выходном канале для NV¯ центраmultiband resonant Raman light scattering by optical phononszero-phonon linesin-coming resonance for NV0 centersout-going resonances for NV- centersReferencesRaman C. V. A change of wave-length in light scattering // Nature. 1928. Vol. 121. P. 619.Raman C. V. A change of wave-length in light scattering // Nature. 1928. Vol. 121. P. 619.Landsberg G., and Mandelstam L. Eine neue Erscheinung bei der Lichtzerstreuung in Krystallen // Naturwissenschaften. 1928. Bd. 16. S. 557.Landsberg G., and Mandelstam L. Eine neue Erscheinung bei der Lichtzerstreuung in Krystallen // Naturwissenschaften. 1928. Bd. 16. S. 557.Light Scattering in Solids, Topics in Applied Physics / Ed. by M. Cardona and G. Guntherodt. Springer, Berlin, Heidelberg, New York, 1974. 543 p.Light Scattering in Solids, Topics in Applied Physics / Ed. by M. Cardona and G. Guntherodt. Springer, Berlin, Heidelberg, New York, 1974. 543 p.Bairamov B. H., Goltsev A. V., Karaiamaki E., Laikho R., Levola T., Toporov V. V. Resonant Brillouin Scattering of Light by Thermal Acoustic Phonons in ZnSe Crystals // Sov. Phys. Solid State. 1983. Vol. 25. P. 739-744.Bairamov B. H., Goltsev A. V., Karaiamaki E., Laikho R., Levola T., Toporov V. V. Resonant Brillouin Scattering of Light by Thermal Acoustic Phonons in ZnSe Crystals // Sov. Phys. Solid State. 1983. Vol. 25. P. 739-744.Karajamaki E., Laiho R., Levola T., Bairamov B. H., Goltsev A. B., Toporov V. V.Karajamaki E., Laiho R., Levola T., Bairamov B. H., Goltsev A. B., Toporov V. V.Determination of Deformation Potential Constants by Brillouin Scattering of Light // Phys. Rev. B. 1984. Vol. 29. P. 4508-4516.Determination of Deformation Potential Constants by Brillouin Scattering of Light // Phys. Rev. B. 1984. Vol. 29. P. 4508-4516.Bayramov F. H., Irmer G., Toporov V. V., Bairamov B. H. Structural, Optical and Electrical Properties of Semiconductor Compounds Studied by Means of Inelastic Light Scattering from Phonon, Electron and Coupled Electron-Phonon Excitations: From Bulk to Nanoscale Structures // Jap. J. Apll. Phys. 2011. Vol. 50. P. 05FE06.Bayramov F. H., Irmer G., Toporov V. V., Bairamov B. H. Structural, Optical and Electrical Properties of Semiconductor Compounds Studied by Means of Inelastic Light Scattering from Phonon, Electron and Coupled Electron-Phonon Excitations: From Bulk to Nanoscale Structures // Jap. J. Apll. Phys. 2011. Vol. 50. P. 05FE06.Cantarero A., Trallero-Giner C., Cardona M. Excitons in one-phonon resonant Raman scattering: Deformation-potential interaction // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 39. P. 8388.Cantarero A., Trallero-Giner C., Cardona M. Excitons in one-phonon resonant Raman scattering: Deformation-potential interaction // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 39. P. 8388.Atature M., Englund D., Vamivakas N., Lee S. Y., Wrachtrup J. Material platforms for spin-based photonic quantum technologies // Nature Reviews Materials. 2018. Vol. 3. P. 38-51.Atature M., Englund D., Vamivakas N., Lee S. Y., Wrachtrup J. Material platforms for spin-based photonic quantum technologies // Nature Reviews Materials. 2018. Vol. 3. P. 38-51.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.