<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">nguphys</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Сибирский физический журнал</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>SIBERIAN JOURNAL OF PHYSICS</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">2541-9447</issn><publisher><publisher-name>Новосибирский государственный университет</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.25205/2541-9447-2018-13-2-64-69</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">nguphys-33</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, ПОЛУПРОВОДНИКОВ, НАНОСТРУКТУР</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>SOLID-STATE AND SEMICONDUCTOR PHYSICS, PHYSICS OF NANOSTRUCTURES</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ГЕНЕРАЦИЯ ВТОРОЙ ГАРМОНИКИ В ТОНКОЙ ПЛЕНКЕ Al0,1Ga0,9N</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>SECOND HARMONIC GENERATION IN Al0.1Ga0.9N THIN FILM</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Борисов</surname><given-names>Г. М.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Borisov</surname><given-names>G. M.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Гольдорт</surname><given-names>В. Г.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Gol’Dort</surname><given-names>V. G.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Журавлёв</surname><given-names>К. С.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Zhuravlev</surname><given-names>K. S.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-3"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Ковалёв</surname><given-names>А. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kovalyov</surname><given-names>A. A.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Кочубей</surname><given-names>С. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kochubei</surname><given-names>S. A.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Ледовских</surname><given-names>Д. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Ledovskikh</surname><given-names>D. V.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Малин</surname><given-names>Т. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Malin</surname><given-names>T. V.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Рубцова</surname><given-names>Н. Н.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Rubtsova</surname><given-names>N. N.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">rubtsova@isp.nsc.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>A. V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS; Novosibirsk State University</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>A. V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-3"><aff xml:lang="ru"><institution>Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>A. V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2018</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>26</day><month>10</month><year>2020</year></pub-date><volume>13</volume><issue>2</issue><fpage>64</fpage><lpage>69</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Борисов Г.М., Гольдорт В.Г., Журавлёв К.С., Ковалёв А.А., Кочубей С.А., Ледовских Д.В., Малин Т.В., Рубцова Н.Н., 2020</copyright-statement><copyright-year>2020</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Борисов Г.М., Гольдорт В.Г., Журавлёв К.С., Ковалёв А.А., Кочубей С.А., Ледовских Д.В., Малин Т.В., Рубцова Н.Н.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Borisov G.M., Gol’Dort V.G., Zhuravlev K.S., Kovalyov A.A., Kochubei S.A., Ledovskikh D.V., Malin T.V., Rubtsova N.N.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://nguphys.elpub.ru/jour/article/view/33">https://nguphys.elpub.ru/jour/article/view/33</self-uri><abstract><p>Вторая гармоника излучения фемтосекундного лазера Yb3+:KY(WO4)2 в пропускании тонкой пленки Al0,1Ga0,9N, выращенной на монокристалле сапфира ориентации (0001), не обнаруживает насыщения для интенсивностей инфракрасной накачки до 200 МВт/см2. Излучение второй гармоники p- поляризации зарегистрировано как для накачки p- поляризации, так и для накачки s -поляризации; во втором случае сигнал второй гармоники существенно ниже. Для обоих случаев поляризации накачки сигнал второй гармоники отсутствует при нормальном падении излучения и достигает максимального значения для угла падения около 50° с последующим уменьшением. Обнаружены признаки латеральной неоднородности образца на уровне 5 %, обсуждается отсутствие азимутальной зависимости, соответствующей оси симметрии шестого порядка.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>Second harmonic of femtosecond laser Yb3+:KY(WO4)2 generated in transmission of thin film Al0.1Ga0.9N grown on sapphire monocrystal of (0001) orientation does not reveal any saturation up to infrared pumping intensity 200 MW/cm2. The p- polarized second harmonic radiation was detected both for p- polarized and s -polarized pumping radiation; the second harmonic signal is essentially lower in the second case. In both cases, the second harmonic signal is absent at normal incidence, and it reaches maximum value at incidence angle of about 50 degree with further decrease. Lateral non-homogeneity was detected at 5 % level; absence of azimuth dependence corresponding to sixth order symmetry axis is considered.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>генерация второй гармоники</kwd><kwd>наноразмерные полупроводниковые материалы A3B5</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>second harmonic generation</kwd><kwd>nano-size A3B5 semiconductor materials</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Борисов Г. М., Гольдорт В. Г., Ковалёв А. А., Ледовских Д. В., Рубцова Н. Н. Фемтосекундная кинетика отражения зеркал с насыщающимся поглощением // Автометрия. 2016. Т. 52, № 2. С. 52-56.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Борисов Г. М., Гольдорт В. Г., Ковалёв А. А., Ледовских Д. В., Рубцова Н. Н. Фемтосекундная кинетика отражения зеркал с насыщающимся поглощением // Автометрия. 2016. Т. 52, № 2. С. 52-56.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kisel’ V. E., Rudenkov A. S., Pavlyuk A. A., Kovalyov A. A., Preobrazhenskii V. V., Putyato M. A., Rubtsova N. N., Semyagin B. R., Kuleshov N. V. High power efficient SESAMmode-locked Yb:KGW bulk laser // Optics Letters. 2015. Vol. 40. No. 12. P. 2707-2710.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kisel’ V. E., Rudenkov A. S., Pavlyuk A. A., Kovalyov A. A., Preobrazhenskii V. V., Putyato M. A., Rubtsova N. N., Semyagin B. R., Kuleshov N. V. High power efficient SESAMmode-locked Yb:KGW bulk laser // Optics Letters. 2015. Vol. 40. No. 12. P. 2707-2710.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kovalyov A. A., Preobrazhenskii V. V., Putyato M. A., Rubtsova N. N., Semyagin B. R., Kisel’ V. E., Rudenkov A. S., Kuleshov N. V., Pavlyuk A. A. Efficient high power femtosecond Yb3+:KY(WO4)2 laser // Laser Physics Letters. 2015. No. 12. P. 075801 (4 p).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kovalyov A. A., Preobrazhenskii V. V., Putyato M. A., Rubtsova N. N., Semyagin B. R., Kisel’ V. E., Rudenkov A. S., Kuleshov N. V., Pavlyuk A. A. Efficient high power femtosecond Yb3+:KY(WO4)2 laser // Laser Physics Letters. 2015. No. 12. P. 075801 (4 p).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Бохан П. А., Журавлёв К. С., Закревский Дм. Э., Малин Т. В., Осинных И. В., Фатеев Н. В. Усиление излучения в легированных AlGaN структурах при оптической накачке // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43, вып. 1. C. 1-4.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Бохан П. А., Журавлёв К. С., Закревский Дм. Э., Малин Т. В., Осинных И. В., Фатеев Н. В. Усиление излучения в легированных AlGaN структурах при оптической накачке // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43, вып. 1. C. 1-4.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Aleksandrov I. A., Zhuravlev K. S. Energy structure and radiative lifetimes of InGaN/AlN quantum dots // Superlattices and Microstructures. 2018. No. 113. P. 373-378.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Aleksandrov I. A., Zhuravlev K. S. Energy structure and radiative lifetimes of InGaN/AlN quantum dots // Superlattices and Microstructures. 2018. No. 113. P. 373-378.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Асаки И. Увлекательные приключения в поисках синего света // УФН. 2016. T. 187, № 5. С. 504-517.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Асаки И. Увлекательные приключения в поисках синего света // УФН. 2016. T. 187, № 5. С. 504-517.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Sanford N. A., Davydov A. V., Tsvetkov D. V., Dmitriev A. V., Keller S., Mishra U. K., DenBaars S. P., Park S. S., Han J. Y., Molnar R. J. Measurement of second order susceptibilities of GaN and AlGaN // Journal of Applied Physics. 2005. No. 97. P. 053512 (13 p).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Sanford N. A., Davydov A. V., Tsvetkov D. V., Dmitriev A. V., Keller S., Mishra U. K., DenBaars S. P., Park S. S., Han J. Y., Molnar R. J. Measurement of second order susceptibilities of GaN and AlGaN // Journal of Applied Physics. 2005. No. 97. P. 053512 (13 p).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Fujii Y., Yoshida S., Misawa S., Maekawa S., Sakudo T. Nonlinear optical susceptibilities of AlN film // Applied Physics Letters. 1977. No. 31. P. 814-816.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Fujii Y., Yoshida S., Misawa S., Maekawa S., Sakudo T. Nonlinear optical susceptibilities of AlN film // Applied Physics Letters. 1977. No. 31. P. 814-816.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Fomenko V., Gusev E. P., Borguet E. Optical second harmonic generation studies of ultrathin high-k dielectric stacks // J. Appl. Phys. 2005. No. 97. P. 083711 (7 p).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Fomenko V., Gusev E. P., Borguet E. Optical second harmonic generation studies of ultrathin high-k dielectric stacks // J. Appl. Phys. 2005. No. 97. P. 083711 (7 p).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Vanbel M., Delabie A., Sioncke S., Adelmann Ch., Afanas'ev V., Locquet J. P., Van Elshocht S., Caymax M., Verbiest T. Second-har-monic generation as characterization tool for Ge/high-k dielectric interfaces // Proc. SPIE. Nonlinear Optics and Applications VI. 2012. Vol. 8434. P. 84341F.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Vanbel M., Delabie A., Sioncke S., Adelmann Ch., Afanas'ev V., Locquet J. P., Van Elshocht S., Caymax M., Verbiest T. Second-har-monic generation as characterization tool for Ge/high-k dielectric interfaces // Proc. SPIE. Nonlinear Optics and Applications VI. 2012. Vol. 8434. P. 84341F.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Борисов Г. М., Гольдорт В. Г., Ковалёв А. А., Кочубей С. А., Ледовских Д. В., Преображенский В. В., Путято М. А., Рубцова Н. Н., Семягин Б. Р. Особенности генерации второй гармоники излучения фемтосекундного лазера Yb3+:KY(WO4)2 в гетероструктурах A3B5 с асимметричными квантовыми ямами // Вестн. НГУ. Серия: Физика. 2014. T. 9, вып. 4. С. 5-14.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Борисов Г. М., Гольдорт В. Г., Ковалёв А. А., Кочубей С. А., Ледовских Д. В., Преображенский В. В., Путято М. А., Рубцова Н. Н., Семягин Б. Р. Особенности генерации второй гармоники излучения фемтосекундного лазера Yb3+:KY(WO4)2 в гетероструктурах A3B5 с асимметричными квантовыми ямами // Вестн. НГУ. Серия: Физика. 2014. T. 9, вып. 4. С. 5-14.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Miragliotta J., Wickenden D. K., Kistenmacher T. J., Bryden W. A. Linear and nonlinear optical properties of GaN thin films // JOSA B. 1993. Vol. 10. No. 8. P. 1447-1456.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Miragliotta J., Wickenden D. K., Kistenmacher T. J., Bryden W. A. Linear and nonlinear optical properties of GaN thin films // JOSA B. 1993. Vol. 10. No. 8. P. 1447-1456.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Elhadj S., Yoo J.-H., Negtes R. A., Menor M. G., Adams J. J., Shen N., Cross D. A., Bass I. L., Bude J. D. Optical damage performance of conductive widegap semiconductors: spatial, temporal, and lifetime modeling // Optical Materials Express. 2017. Vol. 7. No. 1. P. 202-212.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Elhadj S., Yoo J.-H., Negtes R. A., Menor M. G., Adams J. J., Shen N., Cross D. A., Bass I. L., Bude J. D. Optical damage performance of conductive widegap semiconductors: spatial, temporal, and lifetime modeling // Optical Materials Express. 2017. Vol. 7. No. 1. P. 202-212.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
