Исследовано отражение от подложки арсенида галлия ориентации (001) инфракрасного пробного фемтосекундного излучения в присутствии более мощных импульсов накачки того же излучения с пиковой мощностью до 1 ГВт/см2. Лазер Yb3+:KY(WO4)2 с центральной длиной волны 1 035 нм, с частотой повторения 70 МГц, длительностью импульсов 130 фс и средней мощностью не более 0,9 Вт работал в области прозрачности GaAs. Экспериментальная зависимость регистрируемого сигнала от интенсивности излучения накачки на качественном уровне совпадает с модельной зависимостью для двухфотонного поглощения. Результаты важны для правильной интерпретации кинетики отражения от слоя квантовых ям.
The reflection of probe infrared femtosecond radiation pulses from a gallium arsenide substrate of the (001) orientation in the presence of more powerful pump pulses of the same radiation with a peak power of up to 1 GW/cm2 was investigated. A Yb3+:KY(WO4)2 laser with a central wavelength of 1 035 nm, a repetition rate of 70 MHz, a pulse duration of 130 fs, and an average power of not more than 0.9 W worked in the GaAs transparency region. The experimental dependence of the recorded signal on the pump radiation intensity is in qualitative agreement with the model dependence for two-photon absorption. The results are important for the correct interpretation of reflectivity kinetics of quantum wells.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.